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硫硒化鉬晶體(百分之99.995)MoSSe

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更新時(shí)間:2025-05-07 20:44:32瀏覽次數(shù):1516

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

供貨周期 一周    
晶體尺寸:~6毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

詳細(xì)介紹

硫硒化鉬晶體 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 
晶體尺寸:~6毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a MoSSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal MoSSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal MoSSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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