硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on Si
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on Si
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

Graphene on Si
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底