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[供应]PECVD-12II-3Z/G-1200℃双温区PECVD系统
1.1200度开启式双温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统(可选配中真空或高真空)
1200℃双温区PECVD系统
产品应用:
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品组成:
此款PECVD系统配置:
1.1200度开启式双温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统(可选配中真空或高真空)
PECVD系统产品特点:
生长温度低;沉积速率快;成膜质量好,适用范围广,设备简单。
系统名称 | 1200℃双温区PECVD系统 | |
系统型号 | PECVD-12II-3Z/G | PECVD-12II6-3Z/G |
zui高温度 | 1200℃ | |
加热区长度 | 420mm | 610mm |
恒温区长度 | 280mm | 400mm |
温区 | 双温区 | 双温区 |
石英管管径 | Φ50/Φ60/Φ80 | Φ80/Φ100 |
额定功率 | 3.2Kw | 4.8Kw |
额定电压 | 220V | 220V |
温度控制 | 国产程序控温系统50段程序控温; | |
控制精度 | ±1℃ | |
炉管zui高工作温度 | <1200℃ | |
气路法兰 | 本实用新型在密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在*次使用设备的时候安装 | |
气体控制方式 | 质量流量计 | |
气路数量 | 3路(可根据具体需要选配气路数量) | |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 | |
精度 | ±1%F.S | |
响应时间 | ≤4sec | |
工作温度 | 5-45℃ | |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) | |
系统连接方式 | 采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 | |
规格 | 中真空 | 高真空 |
系统真空范围 | 10Pa-100Pa | 1x10-3Pa-1x10-1Pa |
真空泵 | 双极机械泵理论极限真空度1x10-1Pa,抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw | 真空分子泵理论极限真空度 |
信号频率 | 13.56MHz±005% | |
功率输出范围 | 5W-500W | |
zui大反射功率 | 200W | |
射频输出接口 | 50Ω,N-type,temale | |
功率稳定度 | ±0.1% | |
谐波分量 | ≤-50dbc | |
供电电压 | 单相交流(187V-253V)频率50/60HZ | |
整机功率 | ≥70% | |
屏幕显示 | 正方向功率,匹配器电容位置,偏置电压值 | |
炉体外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm |
系统外形尺寸 | 530*2310*750mm | 530*2310*750mm(不含高真空) |
系统总重量 | 270kg | 350kg |
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