光刻胶 光刻工艺中图形转移的工艺材料，它的性能直接影响到最终产品的质量和精度。以下是一系列高品质的光刻胶产品介绍，旨在满足不同微电子制造工艺的需求。

一、高分辨率光刻胶系列

S1800 G2系列光刻胶

本系列包括S1805 G2、S1813 G2、S1818 G2等型号，均为高分辨率正胶。这些光刻胶的胶厚范围在0.4-2.7um之间，具有优异的粘附性，能够在硅片表面形成稳定的涂层。它们的极限线宽可达0.5um，适用于正性薄胶工艺，特别是在需要高精度图形转移的场合。S1800 G2系列光刻胶还可搭配LOR/PMGI系列，实现小线宽双层胶lift-off工艺，为微电子制造提供了更多的灵活性。

SPR955-CM系列光刻胶

SPR955-CM系列光刻胶包括SPR 955-0.7、SPR 955-1.1等多个型号，胶厚范围在0.7-3.5um之间。这些光刻胶具有高分辨率和良好的粘附性，极限线宽可达0.35um，适用于正性薄胶工艺。它们在精细图案的制造中表现出色，是高性能光刻工艺的理想选择。

AZ MIR 701/703光刻胶

AZ MIR 701/703光刻胶是高分辨率正胶，胶厚范围在0.7-1.4um之间。它们具有良好的粘附性，极限线宽为0.5um，适合于要求高分辨率的光刻工艺。

二、国产光刻胶系列

ROL-7133光刻胶

ROL-7133是一种常用的负胶，适用于g/h/i-line光源。其胶厚范围在2.2-4um之间，底切角度适中，这使得它非常适合用于lift-off工艺，用于制作金属电极或导线。

SUN-lift 1303 光刻胶

SUN-lift 1303是国产负胶，适用于g/h/i-line光源，胶厚范围在2.2-4um之间。它的底切角度适中，适用于lift-off工艺，为金属图形的制造提供了可靠的解决方案。

三、特殊用途光刻胶系列

PMMA光刻胶

PMMA光刻胶是一种正性电子束光刻胶，具有高分辨率，适用于电子束光刻、二维材料转移、多层T-gate等工艺。它的特殊配方使其在电子束曝光下表现出优秀的分辨率和对比度。

AZ 5214E光刻胶

AZ 5214E是一种正性薄胶，胶厚范围在1-1.6um之间。它可搭配LOR/PMGI实现双层胶lift-off工艺，也可反转成负胶用于lift-off工艺，为光刻工艺提供了更多的选择。

AZ 4620光刻胶

AZ 4620光刻胶是一种正性厚胶，胶厚范围在3-60um之间，适用于干法/湿法刻蚀、电镀等工艺。它的厚胶特性使其在需要厚膜?；さ某『戏浅Ｓ行?。

SU-8光刻胶

SU-8光刻胶是一种高深宽比负胶，胶厚范围在0.5-650um之间，具有高透明度和良好的陡直性。它适用于绝缘层、微流控等工艺，特别是在需要高深宽比结构的制造中。

AZ nLOF 2000系列光刻胶

AZ nLOF 2000系列光刻胶是耐高温Lift-off光刻胶，包括AZ nLOF 2020、AZ nLOF 2035、AZ nLOF 2070等型号。这些光刻胶能够在高温下保持稳定，适用于复杂的lift-off工艺。

SPR220系列光刻胶

SPR220系列光刻胶是常用的正胶，胶厚范围在1-10um之间，适用于干法/湿法刻蚀、电镀等工艺。它的广泛适用性使其成为多种光刻工艺的重要选择。

AZ 1500系列光刻胶

AZ 1500系列光刻胶是高分辨率正胶，胶厚范围在0.7-1.4.3um之间，适用于正性薄胶工艺。它可作为双层胶lift-off工艺底层胶，与S1800 G2、SPR 955、AZ5214E等光刻胶搭配使用，提供优异的工艺性能。

此外，我们还提供图形反转胶、电子束光刻胶、双层胶工艺、LOR光刻胶、PMGI SF光刻胶、Lift-off工艺光刻胶、正性光刻胶、负性光刻胶、厚光刻胶、薄光刻胶、紫外光刻胶等多种类型的光刻胶产品，以满足客户不同的工艺需求。

选择合适的光刻胶 光刻工艺中图形转移的工艺材料对于提高生产效率、保证产品质量和降低成本至关重要。我们致力于为客户提供专业、高效的服务，助力我国微电子产业的技术进步和创新发展。