改良后的硅芯爐設(shè)計(jì)采用兩個(gè)直徑約為50毫米的源桿，并可以從每個(gè)源桿上拉出硅芯。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

材料：硅

細(xì)桿

長(zhǎng)度： 最長(zhǎng)3200毫米

直徑： 大約8毫米

源桿

長(zhǎng)度： 最長(zhǎng) 1,000 mm

直徑： 100 mm (4")

極限真空度： 5 x 10-2 mbar

最大過壓： 0.35 bar(g)

發(fā)電機(jī)

輸出電壓： 30 kW

頻率： 2.8 MHz

上拉式進(jìn)料

拉動(dòng)速度： 最高60毫米/分鐘

下拉式進(jìn)料

拉動(dòng)速度： 最高 10 mm/min

轉(zhuǎn)速： 高達(dá) 20 rpm

尺寸規(guī)格

高度： 7,300 mm

寬度： 1,820 mm

深度: 1,250 mm

占地面積（總計(jì)）： 2,500 mm x 2,800 mm

重量（總計(jì)）： 約6,000 kg

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法為生產(chǎn)高電阻率的超純硅單晶提供了技術(shù)可行性，該技術(shù)可應(yīng)用于高性能電子和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其另一優(yōu)點(diǎn)是可以從氣相中連續(xù)摻入，這使得在整個(gè)晶體的電阻率沿長(zhǎng)度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個(gè)晶體上均勻地實(shí)現(xiàn)所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業(yè)。

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法與CZ直拉工藝等競(jìng)爭(zhēng)方法相比，FZ工藝的優(yōu)勢(shì)在于只有緊鄰感應(yīng)線圈的一小部分晶體需要被熔化，無需使用石英坩堝（每爐次耗用一個(gè)），可實(shí)現(xiàn)高拉速，因此降低了耗材成本的同時(shí)也降低了能源成本。此外，無論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過多次處理，顯著地提高純度。