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qirui Ecopia HMS-5000全自动变温霍尔效应测试仪

具体成交价以合同协议为准

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联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!


上海骐锐信息科技有限公司专注于行业领域,高低温介电常数/高低温下电性能测试系统/工业自动化/精密仪器/航空航天高性能材料测试系统、传感器生产与技术服务。我们以技术创新为核心驱动力,致力于为客户提供高效、智能、定制化的设备解决方案,助力全球客户提升生产效率、优化产品质量并实现可持续发展。

核心技术优势:

? 研发实力

拥有一支由资深工程师、行业专家及高??蒲型哦幼槌傻母春闲脱蟹⑼哦樱奂苹竦枚嘞罘⒚髯ɡ笆涤眯滦妥ɡ?span style="color: rgb(255, 0, 0);">。

? 技术亮点

自主研发核心产品技术,如:高低温下介电常数/材料电性能高低温测试/??榛璞讣芄?能耗优化系统等。

采用数字化仿真/工业大数据分析/虚拟调试等先进技术,缩短研发周期30%以上。

? 产学研合作

与高校/科研院所名称建立合作,共同攻关行业关键技术难题。

 

产品与服务体系:

?? 核心产品线

1. 智能生产线集成:面向制造业的自动化装配、检测及自动化测试系统。

2. 专用设备定制:材料测试系统、半导体精密加工设备、新能源电池模组封装设备等。

3. 智能运维平台:设备远程监控、预测性维护及数据分析服务。

?? 服务模式

- 全生命周期支持:从需求分析、方案设计到安装调试、售后维保的一站式服务。

 

成功案例

研发的设备型号获奖项/认证

服务覆盖行业领域,如:汽车制造/生物医药/光伏新能源头部企业

我公司与以下国内外厂商建立了长期合作关系:日本安立公司、美国泰克Tektronix 公司、南京盛普、Sample 公司 、美国福禄克Fluke 公司、北京普源精电 、Rigol公司、美国安捷仑Agilent公司、中国台湾茂迪Motech公司、美国艾法斯 Aeroflex公司、 中国台湾固纬Goodwill公司、美国吉时利Keithley公司、日本岩崎Iwatsu公司、美国国家仪器NI公司、日本爱德万 Advantest公司、美国Magtrol公司、德国惠美Hameg公司、韩国Tescom公司、安徽41所、韩国金进 Jungjin公司、常州同惠等。

 

 

电子仪器仪表 材料测试

应用领域 化工,能源,电子/电池,包装/造纸/印刷,电气

Ecopia HMS-5000全自动变温霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体材料电学特性*的工具。


产品组成:
1、 主机系统
恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统
2、 0.51特斯拉磁体包(型号:AMP51)
      - 0.51特斯拉永磁体
      - 磷铜样品固定板
      - 样品固定板嵌入式加热器
      - 液氮槽
      - 温度传感器

样品变温、固定部分组成

-  圆形液氮槽

-  样品固定板

-  温度传感器

-  嵌入式加热器

-  磁体盖

-  电缆

AMP磁体Kit俯视图

- 磁体移动马达控制

- 圆形液氮槽

- 磁体盖

- 电缆


3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 RTSK-5000 (选配)



4、 变温霍尔效应测量软件

HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面



不同温度I-V/I-R曲线       载流子浓度随温度变化曲线

迁移率随温度变化曲线       电阻率随温度变化曲线

霍尔系数随温度变化曲线       电导率随温度变化曲线


Ecopia HMS-5000全自动变温霍尔效应测试仪规格:
1、 主要实验参数
输入电流:1nA ~ 20mA;
电阻率:10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm;
载流子浓度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;
迁移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;
磁场强度:0.51T;
样品测量板:弹簧样品板;
样品尺寸:5mmX5mm  ~ 20mmX20mm;
温度范围:80K-350K;
磁体包尺寸:700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg;
2、 软件操作环境
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下
3、 实验结果
      - 体载流子浓度、表面载流子浓度;
      - 迁移率;
      - 霍尔系数;
      - 电阻率、方块电阻;
      - 磁致电阻;
      - 电阻的纵横比率;
4、 仪器尺寸和重量
主机尺寸:440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg;
5、 测量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型);



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