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GSL-1800X-SBC2 多功能試樣表面處理機(jī)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

合肥科晶科晶集團(tuán)

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  合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年,是由一群來自麻省理工學(xué)院和加州大學(xué)伯克利分校的材料研究人員創(chuàng)辦的美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院合資興辦的高新技術(shù)企業(yè)。主要生產(chǎn)氧化物晶體(A--Z)和材料實(shí)驗(yàn)室成套設(shè)備:包括“混料-壓料-燒料”(混料機(jī)、壓片機(jī)、箱式爐、真空管式爐)以及“定向-切割-研磨-拋光”(X射線定向儀、低速外圓鋸、金剛石線切割機(jī)、自動(dòng)研磨、拋光機(jī))。公司自主研發(fā)生產(chǎn)上百款不同規(guī)格尺寸、溫度、高溫高壓及快速升溫等產(chǎn)品,其中包括:箱式爐、氣氛爐、管式爐、井式爐、RTP快速升溫爐、高溫高壓爐、鍍膜機(jī)、清洗劑及新能源鋰離子電池研發(fā)等相關(guān)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備?,F(xiàn)已成為氧化物晶體(A--Z)的主要制造商和材料研究實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的*,為科研工作者提供材料研究解決方案。產(chǎn)品設(shè)計(jì)*、性能優(yōu)異,質(zhì)量可靠,性價(jià)比高,環(huán)保節(jié)能、返修率低,遠(yuǎn)銷到歐洲,美國,日本,德國等許多國家,廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、冶金、醫(yī)學(xué)、新能源材料研發(fā)等領(lǐng)域,受到客戶*好評。
 
  科晶公司秉承"以人為本、技術(shù)為導(dǎo)、誠信為基、積極創(chuàng)新"的經(jīng)營理念,全力打造材料研發(fā)設(shè)備的品牌,竭力為科學(xué)進(jìn)步和社會(huì)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
 

真空管式爐,高溫箱式爐,高速震動(dòng)球磨機(jī),RTP快速退火爐,高溫高壓爐,涂覆機(jī),電池制備設(shè)備等

多功能試樣表面處理機(jī)是為掃描電鏡和電子揉針等進(jìn)行試驗(yàn)制備的設(shè)備,可進(jìn)行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射,它也可以在高純氫氣保護(hù)下進(jìn)行等離子處理。對于實(shí)驗(yàn)室此款設(shè)備是*的鍍膜設(shè)備。

技術(shù)參數(shù)

輸入電源

208 - 240VAC  , 10A , 50/60 Hz, 單相

功率

< 2000W  (包括真空泵)

輸出電壓 (DC)

  • AC10V  zui大電流 100A (對于真空鍍膜)
  • DC 3KV, 10mA   (對于等離子濺射)

真空腔體

 

有一玻璃鐘罩:250mm dia. x 340mm

(2)玻璃處理室:

  • 玻璃罩 A:內(nèi)徑88mm×高度140mm(用于真空鍍膜)
  • 玻璃罩 B:內(nèi)徑88mm×高度57mm(用于等離子濺射)


鍍膜裝置

 


 

對于制膜,儀器可設(shè)置三種模式:

(1)一種模式專門針對于蒸發(fā)鍍膜(下方左圖)

  • 此儀器可以同時(shí)蒸鍍兩種材料,其zui高溫度可以達(dá)到1800℃
  • 采用鎢絲進(jìn)行加熱

(2)蒸碳鍍膜模式(下方中圖)

儀器中包括有兩組碳棒

(3)直流等離子濺射模式(下方右圖)儀器中包含有一金靶(38mm Dia x 0.2 mm t)

  • 可在本公司選購其他材質(zhì)靶材( 請點(diǎn)擊查看 )
  •      

    Thermal Evaporation  Carbon coating   Plasma sputtering

樣品臺(tái)

  • 樣品臺(tái)可以自動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)(見做圖)
  • 樣品臺(tái)尺寸:40mm
  • 儀器上安裝有一電動(dòng)快門用于控制蒸鍍的開始與停止(見右圖)  


真空泵

  • 儀器下端安裝有一機(jī)械泵和分子泵
  • 抽速:600L/S
  • 真空度:  10-6 torr
  • 設(shè)備工作環(huán)境溫度:< 32°C

控制面板

在控制面板上可以選擇鍍膜模式,調(diào)節(jié)濺射電流和蒸發(fā)功率

外型尺寸

L800mm× W560mm× H1340mm

凈重

150 kg

質(zhì)保期

一年質(zhì)保期,終身維護(hù)

質(zhì)量認(rèn)證

CE certified



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