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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> LD-FPA-640×512-K CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
FPA-640*512 InGaAs Imager（0.9um-1.7um）
CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)銷售商的機(jī)械設(shè)計(jì)。靈敏度可以通過使用嵌入式TEC進(jìn)一步提高，高可靠性可以通過密封金屬封裝來實(shí)現(xiàn)。
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FPA-640*512說明
參數(shù) | 單位 | zui小值 | zui大值 |
工作溫度范圍 | ℃ | -20 | +85 |
儲存溫度范圍 | ℃ | -40 | +85 |
功耗 | mW | --- | 325 |
TEC 電流 | A | --- | 1.8 |
TEC 電壓 | V | --- | 15.4 |
FPA Characteristics（FPA特性）
參數(shù) | 典型值 | 條件 |
光譜響應(yīng) | 0.9-1.7um | --- |
zui小像素的可操作性 | >99% | 636*508內(nèi)的中心地區(qū) |
暗電流 | <0.2PA | 25℃,0.1V探測器偏壓 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探測率 | ≥5*1011 jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
響應(yīng)非均勻性 | <10% | 飽和度低于50%,25℃ |
非線性(zui大偏差) | <2% | 超過15%-85%全阱容量，低增益 |
zui大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- | 25℃ |
TEC 制冷 | ΔT>70℃ | 無需加載 |
1.3、隨著技術(shù)的不斷革新，現(xiàn)CLPT公司也提供：
1）CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，響應(yīng)波段在1.2-2.2um范圍的320*256面陣探測器；
2）CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，體積更小，質(zhì)量更輕的320x256和640x512面陣探測器，
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