1、可測量太陽能，多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面%拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管，硅單晶的少子壽命。
2、可測量太陽能，單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面%拋光、鈍化。
3、配備，軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能，硅晶體。
5、測量范圍寬廣
    測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
   壽命可測范圍      0.25μS—10ms