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使用低溫傅立葉變換紅外光譜法 測定硅單晶的標準征求意見稿發(fā)布
2021年03月04日 08:35:47
來源：化工儀器網 點擊量：8335
根據《國家標準化管理委員會關于下達2020年推薦性國家標準計劃(修訂)的通知》(國標委發(fā)[2020]6號)的要求，樂山市產品質量監(jiān)督檢驗所修訂了《硅單晶中III、V 族雜質含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》。目前，標準征求意見稿已經發(fā)布，正面向社會征求意見。
【化工儀器網 標準】硅單晶是IC集成電路、半導體功率器件及太陽能光伏發(fā)電的基礎材料，硅單晶的重要電學參數導電類型和電阻率取決于硅單晶中III、V族雜質的含量。而硅單晶是由高純度的多晶硅經區(qū)熔或直拉的方式者拉制而成，因此多晶硅中III、V族雜質的含量是影響硅單晶產品質量的重要技術指標。目前多晶硅中III、V族雜質含量的測定方法繁瑣，已經不能充分適應目前半導體及太陽能光伏產業(yè)的需要，故而需要對GB/T24581-2009進行修訂。
根據《國家標準化管理委員會關于下達2020年推薦性國家標準計劃(修訂)的通知》(國標委發(fā)[2020]6號)的要求，樂山市產品質量監(jiān)督檢驗所修訂了《硅單晶中III、V 族雜質含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》。目前，標準征求意見稿已經發(fā)布，正面向社會征求意見。
與GB/T24581-2009相比，本次修訂的標準除結構調整和編輯性改動外，主要技術變化如下：在規(guī)范性引用文件中用國家標準代替國外標準；將3.2條改為“5.2 如果沒有足量連續(xù)的白光，補償的施主和受主將不產生吸收，故白光強度須足夠強以完全抵消所有施主和受主的補償。使用者通過逐步增加儀器白光光強，來確定III、V族雜質吸收峰的面積或高度不再受光強增加影響的白光強度”；增加6.2條“高純氮，體積分數≥99.999%”；增加第6章“試劑和材料”，章條好順延；增加7.5條“千分尺，精度不低于0.01mm”；將第12章與第13章合并，章條號順延等。
閱讀標準征求意見稿后可知，本標準所使用的低溫傅立葉變換紅外光譜法原理是將硅單晶樣品冷卻至15k以下，此時自由載流子的影響可忽略不計，其紅外光譜主要是由雜質元素引起的一系列吸收譜帶，用一個連續(xù)白熾燈光源照射樣品，使其光線能量大于補償雜質的能帶，再將紅外光束直接透射樣品，采集透射光譜，該光譜扣除背景光譜后會轉化為吸收光譜。在雜質元素特征吸收譜帶上建立基線并計算其吸收譜帶面積，后根據比耳定律機本文件給出的各雜質元素的校準因子計算出各雜質元素的含量即可。
《硅單晶中III、V 族雜質含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》也表明了實驗需要用到低溫恒溫箱、樣品架、傅立葉變換紅外光譜儀、千分尺、白光光源等。
本標準修訂結合標準的實際使用情況對原標準的技術內容進行適當修改，同時增加了多個實驗室的測量精密度，提高了標準的實用性、可操作性及先進性，使GB/T24581更為完善，也相信在其正式實施后能更好地滿足半導體及太陽能光伏產業(yè)發(fā)展的需要。
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